當?shù)貢r間4月7日，三星電子發(fā)布2026年第一季度未經(jīng)審計業(yè)績指引，單季合并營業(yè)利潤預計達57.2萬億韓元（約合2611億元人民幣），同比增幅高達755%。這一成績不僅刷新該公司季度盈利歷史紀錄，更一舉超越2025年全年43.6萬億韓元（約合1990億元人民幣）的營業(yè)利潤，創(chuàng)下韓國企業(yè)史上最具爆發(fā)力的單季盈利表現(xiàn)。
這份基于韓國國際財務報告準則（K-IFRS）的官方數(shù)據(jù)顯示，一季度合并銷售額約133萬億韓元，同比增長68.1%，盈利區(qū)間鎖定在57.1萬億至57.3萬億韓元，中位數(shù)即為57.2萬億韓元。對比去年同期僅6.69萬億韓元的營業(yè)利潤，三星電子用三個月時間完成了過去一年都難以企及的盈利規(guī)模，標志著這家全球科技巨頭正式邁入AI驅動的超級盈利周期。
此次三星電子業(yè)績爆發(fā)是多重利好共振下的結果，核心驅動力來自存儲芯片需求暴增。AI服務器需求呈指數(shù)級增長，徹底重構全球存儲芯片供需格局，單臺AI服務器對HBM與DRAM的需求量是普通服務器的數(shù)倍，英偉達、AMD 等算力巨頭持續(xù)搶購產(chǎn)能，導致存儲芯片供應持續(xù)緊缺、價格大幅上漲。
調研機構TrendForce數(shù)據(jù)顯示，2026年一季度，DRAM合約價格環(huán)比暴漲90%-95%，NAND閃存價格同步上漲55%-60%。三星作為全球存儲芯片龍頭，成為此輪漲價潮受益者之一。
據(jù)韓國主流券商測算，三星電子設備解決方案（DS）部門一季度營業(yè)利潤預計突破42萬億韓元，占總利潤比例超七成。其中HBM業(yè)務營收同比增長超300%，HBM4量產(chǎn)推進順利，逐步縮小與SK海力士的技術差距，同時通用DRAM與NAND Flash量價齊升，老舊產(chǎn)線收縮、高端產(chǎn)能傾斜的策略成效顯著，毛利率持續(xù)攀升至行業(yè)領先水平。
而在去年一季度，該公司曾深陷存儲周期低谷，管理層還因業(yè)績低迷公開致歉。彼時其HBM產(chǎn)能不足、市場份額落后，移動業(yè)務與代工業(yè)務增長乏力。
2025年全年，三星通過調整產(chǎn)能結構、加大高附加值產(chǎn)品投入，營業(yè)利潤回升至43.6萬億韓元，同比增長33.2%，第四季度單季利潤達20.07萬億韓元，創(chuàng)下當時季度新高。而2026年一季度57.2萬億韓元的利潤，是去年第四季度的近3倍、去年同期的8.5倍，盈利增速與規(guī)模均遠超市場預期。
此前倫敦證券交易所集團匯總29位分析師預期，三星電子一季度利潤為40.5萬億韓元，花旗銀行樂觀預期也僅51萬億韓元，三星官方指引則高于所有機構預測，凸顯AI存儲需求帶來的業(yè)績彈性超出市場判斷。
Daol Investment & Securities分析師高英敏表示，當前存儲市場景氣度已達峰值，AI需求與供應收緊形成共振，幾乎沒有比現(xiàn)在更優(yōu)的行業(yè)環(huán)境。
花旗銀行在研報中指出，AI推理需求持續(xù)強勁將支撐存儲價格高位運行，預計三星2026年全年營業(yè)利潤有望達到310萬億韓元，同比增長超6倍。高盛、野村證券等機構紛紛上調三星目標價，重申買入評級，認為存儲芯片超級周期遠未結束，二季度DRAM價格預計再漲58%-63%，NAND閃存漲幅將達70%-75%，持續(xù)為三星貢獻利潤增量。
